Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Nagirnyak S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Nagirnyak S. V. 
One-dimensional TIN (IV) oxide nanostructures as gas-sensing materials [Електронний ресурс] / S. V. Nagirnyak, T. A. Dontsova, I. M. Astrelin // Наукові вісті Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". - 2015. - № 5. - С. 119-128. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/NVKPI_2015_5_17
Сенсори, чутливим елементом яких є SnO2, характеризуються малим розміром та низькою вартістю. Однак значними недоліками є їх недостатня чутливість, низька селективність та невисока стабільність. Тому визначення основних параметрів, зміна яких надасть змогу створити ефективні, високочутливі та селективні напівпровідникові сенсори на основі наноструктур SnO2, є вкрай актуальним. Мета роботи - встановлення основних параметрів, що впливають на чутливість, селективність і стабільність напівпровідникових сенсорів. Здійснено критичний огляд сучасної наукової літератури, в результаті якого встановлено, що використання стануму (IV) оксиду у вигляді 1D наноструктур (як допованих, так і недопованих) надасть можливість збільшити чутливість та селективність металоксидних датчиків за рахунок високих значень питомої площі поверхні та створення додаткових активних центрів відносно газів, які детектуються. Визначено, що для створення ефективних і чутливих напівпровідникових датчиків необхідними є використання 1D наноструктур SnO2 та їх спрямована модифікація різноманітними домішками. Висновки: виходячи з даних, наведених у сучасній науковій літературі, для створення ефективних напівпровідникових датчиків на основі SnO2 необхідно поліпшувати їх 3S характеристики. З цієї точки зору 1D наноструктури SnO2 заслуговують на особливу увагу за рахунок сукупності їх фізико-хімічних властивостей. Досить ефективним для синтезу 1D наноструктур є метод парогазового транспорту (метод CVD), що має високу продуктивність при відносній простоті і доступності та надає змогу одержувати монокристалічні наноструктури контрольованої морфології. Проте на сьогодні майже відсутні відомості щодо впливу режимних параметрів синтезу CVD на фізико-хімічні характеристики одержуваного нанорозмірного SnO2. Головна задача - поглиблене вивчення наукових засад цілеспрямованого синтезу та систематизація підходу при виборі допанту для підвищення селективності металоксидних газових сенсорів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 358.211 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Nagirnyak S. V. 
Ways for improvement selectivity of semiconductor gas sensors [Електронний ресурс] / S. V. Nagirnyak, T. A. Dontsova // Молодий вчений. - 2015. - № 10(1). - С. 15-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/molv_2015_10(1)__5
Попередній перегляд:   Завантажити - 314.193 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського